Схемотехника хорошая!
Нижнему выходному транзистору напрашивается в эмиттер сопротивление 0,22 Ома.
Добавка эмиттерного сопротивления:
1. зафиксирует Кус=1 по напряжению для нижнего плеча (предвыходной+выходной транзистор)
(Это снизит четные гармоники УМ)
2. сделает более стабильным ток покоя при разогреве нижнего транзистора.
Очень странное решение по верхнему ГСТ (первый после дифкаскада)
(ГСТ который собран на элементах 2SA1930, 1N4148, 1кОм, 1,2 кОм)
Все остальные ГСТ в схеме используют традиционные 2 диода.
А здесь один диод заменен резистором 1,2кОм .
На этом резисторе падает 4,8 вольт (ток через резистор 4мА)
Как итог, верхняя полуволна сейчас "обрезаться" на 4 вольта раньше, чем нижняя. Верно?
Можно резистор 1,2кОм заменить на второй диод 1N4148, при этом номинал токозадающего резистора в цепи эмиттера 2SA1930 уменьшить с 1кОм до 200 Ом (ток ГСТ в схеме настроен на 3мА)
В результате амплитуда "вверх" вырастет на +4 вольта (неискаженная выходная мощность возрастет со 100 Вт до 120..130 Вт)
Какие сейчас выходные транзисторы стоят?
Не думали поставить комплементарную пару выходных транзисторов?